Untersuchungsmethoden
 
 
Service
 
ERC
 

ESMA - Elektronenstrahl-Mikroanalyse

Ansprechpartner: Dr. rer. nat. Silvia Richter
e-mail: richter@gfe.rwth-aachen.de
Telefon: +49-241-80-24348


Anwendung

Optimierung von Lichtquellen für die EUV-Mikroskopie -
Chemische Analyse von dünnen Schichten und Bestimmung von Schichtdickengradienten

Optimierung von Plasmastrahlungsquellen, die als Lichtquellen für EUV-Mikroskope eingesetzt werden. Ein Problem ist, dass die EUV-Quelle nicht nur EUV-Strahlung emittiert, sondern auch Teilchen wie z.B. Ionen, Atome und Cluster, die die Präzision von Spiegeloptiken beeinflussen.

Ziel der Mikrosondenuntersuchungen war es Belegungen auf bestrahlten Si-Wafern zu untersuchen, die ersatzweise für Spiegeloptiken eingesetzt wurden.

Si-Wafer
Abb. 1










Untersuchungsmethode:

a) Aufnahme von Röntgenintensitätsverteilungsbildern zur Bestimmung der Verteilung der Elementbelegung über die Si-Waferfläche (Abb. 1)


b) Linienprofilmessungen kalibrierter Röntgenintensitäten zur Bestimmung der elementspez. Massenbelegungen und Schichtdicken entlang einer Linie (Abb. 2)







Linienprofilmessungen
Abb. 2

An Hand der Ergebnisse konnte die Ursache der Kontamination (Silikonöl in Gasentladungsquelle), die Stärke der Kontamination nach einer best. Bestrahlungszeit und die Symmetrie der Anordnung der Quelle festgestellt werden.

In Zusammenarbeit mit dem
Fraunhoferinstitut für Lasertechnik